Samsung 990 EVO Plus 1TB (MZ-V9S1T0BW) SSD – M.2 2280 NVMe 2.0, PCIe Gen 4×4, Gen 5×2, 6.300 MB/s write, 7.150 MB/s read

Giao diện
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

Trọng lượng
Max 9.0g

Kích thước (RxCxS)
Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm

Mục đích sử dụng
Máy tính cá nhân

Dung lượng
1.000GB (1GB=1 tỷ byte theo thang đo của IDEMA).
*Dung lượng sử dụng thực tế có thể ít hơn (do định dạng, hệ điều hành, ứng dụng, hoặc lí do khác)

Hình dạng thiết bị
M.2 (2280)

Giao diện
PCIe^® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

Kích thước (RxCxS)
Max 80.15 x Max 22.15 x Max 2.38 mm

Trọng lượng
Tối đa 9.0g

Dung lượng bộ nhớ
Samsung V-NAND TLC

Bộ điều khiển
Samsung sản xuất nội bộ

Bộ nhớ Cache
HMB (Host Memory Buffer)

Hỗ trợ TRIM
Có

Hỗ trợ S.M.A.R.T
Có

GC (Bộ thu gom rác)
Thuật toán thu gom rác tự động

Hỗ trợ mã hóa
Mã hóa AES 256-bit (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Ổ đĩa được mã hóa)

Hỗ trợ WWN
Không

Chế độ chờ
Có

Tốc độ đọc tuần tự
Lên tới 7,150 MB/s
* Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tốc độ ghi tuần tự
Lên tới 6,300 MB/s
* Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD32)
Lên tới 850,000 IOPS
* Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32)
Lên tới 1,350,000 IOPS
* Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tiêu thụ điện năng trung bình (Mức hệ thống)
*Trung bình: Đọc 4.3 W / ghi 4.2 W.
*Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tiêu thụ điện năng (không tải)
Tối đa 60 mW
* Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tiêu thụ điện năng (chế độ chờ)
Thông thường 5 mW * Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Điện áp cho phép
3.3 V ± 5 %

Độ tin cậy (MTBF)
Bền bỉ 1,5 triệu giờ (MTBF)

Nhiệt độ vận hành
0 – 70℃

Va chạm
1.500 G & 0,5 ms (Nửa chu kỳ hình sin)

Bộ cài đặt
Không có sẵn

Phần mềm quản lý
Magician Software quản lý SSD